IBM и Samsung объявили о новой разработке в области полупроводникового дизайна, которая, как они сообщают, значительно увеличит срок службы батареи телефона. Открытие компаний называется VTFET и представляет собой новый подход к размещению транзисторов: вертикально, а не горизонтально. Не вдаваясь в подробности распределения энергии, смартфон по такому дизайну обладает потенциалом для снижения энергопотребления на 85%, а значит, гаджет сможет работать больше недели без подзарядки. Кроме того, компактный дизайн значительно снизит нагрузку на окружающую среду. Ликуем! И с нетерпением ждем выхода новинки в обозримом будущем.